Задача №1.
1. Приведите условное изображение р-n перехода с подключением к нему источников питания (рисунок 1). Нанесите на изображенном р-n переходе заданные носители заряда с указанием направления их перемещения (таблица 1).
2. Обозначьте на рисунке тип проводимости обеих областей (р или п) и полярность источника питания, соответствующую заданному перемещению носителей заряда.
3. Отметьте, в каком направлении включен р-n – переход (в прямом или обратном).
4. Приведите вольт-амперную характеристику, соответствующую та-кому включению р-n – перехода для двух разных температур.
5. Укажите порядок величин тока и напряжения, соответствующих полученному направлению включения р-n – перехода.
Задача №2.
Выберите из приложения А полупроводниковый диод согласно своему варианту (таблица 2). Охарактеризуйте выбранный прибор и укажите физический смысл заданного в графе 4 таблицы 2 параметра. Ответ дол-жен содержать:
– таблицу с выписанным заданием своего варианта;
– таблицу с записью обозначения (маркировки) выбранного диода и его справочными данными;
– запись определения данного типа диода и его условное графическое обозначение (УГО);
– запись с расшифровкой маркировки выбранного диода;
– краткий ответ о том, какое свойство p-n – перехода используется в этом типе диодов;
– габаритный чертеж диода;
– схему включения;
– типовую вольт-амперную характеристику (для варикапа – зависимость емкости (заряда) от приложенного напряжения);
– ответ о физическом смысле параметра, заданного в таблице 2, гра-фа 4;
Задача №3.
Из таблицы 3 выберите биполярный транзистор согласно условию своего варианта. Выполните необходимые вычисления, построения и сделайте выводы. Укажите физический смысл заданного в таблице 3 параметра.
Ответ должен содержать:
- таблицу с выписанным заданием своего варианта;
- таблицу с обозначением выбранного транзистора и его справочными данными;
- запись определения биполярного транзистора;
- схему включения транзистора с общим эмиттером (ОЭ) в активном рабочем режиме;
- обозначение стрелками на схеме путей прохождения токов коллектора, базы, эмиттера и запись о том какие токи и напряжения являются для данной схемы входными и выходными;
- входные и выходные характеристики со всеми необходимыми построениями;
- расчет и построение нагрузочной прямой с обозначением на входных и выходных характеристиках напряжений, приложенных к транзистору, и токов во входной и выходной цепи транзистора;
- данные режима работы транзистора;
- таблицу расчета линии допустимых режимов и выводов о допустимости использования транзисторов в заданном режиме;
- обозначение на выходных характеристиках транзистора областей использования его в режимах отсечки и насыщения;
- расчет параметров и элементов схемы включения транзистора, используя данные таблицы 3, графа 9;
- ответ о физическом смысле параметра, заданного в графе 8, таблицы 3.
Задача №4.
Из таблицы 5 выберите ИМС согласно номеру своего варианта и определите параметры аналоговых и цифровых ИМС с использованием справочной литературы.
Ответ должен содержать:
- таблицу с выписанным заданием своего варианта;
- запись с определением ИМС и назначением данной микросхемы;
- расшифровку буквенно - цифрового кода (маркировки) микросхемы;
- условное графическое обозначение микросхемы с нумерацией выводов;
- принципиальную или функциональную схему ИМС;
- таблицу истинности для логического элемента;
- справочные данные микросхемы (параметры, характеристики и их определения);
- чертеж корпуса микросхемы ;
- расшифровку буквенно - цифрового кода (маркировки) корпуса микросхемы;
- описание принципа работы логического элемента, функционального узла, устройства, отражающих назначение ИМС.
Вопрос №12. Какой процесс называют эпитаксией?
Вопрос №23. Как устроен диод Шоттки?
Вопрос №41. Какой режим работы транзистора называют импульсным режимом?
1. Галкин, В.И. Промышленная электроника / В.И. Галкин. Мн.,1989.
2. Гусев, В.Г. Электроника / В.Г. Гусев, Ю.М. Гусев. М., 1991.
3. Жеребцов, И.П. Основы электроники / И.П. Жеребцов, Л., 1989.
4. Лачин, В.И. Электроника / В.И. Лачин, Н.С. Савелов. Ростов-на Дону, 2005.
5. Нефедов, В. И. Основы радиоэлектроники / В.И. Нефедов, М., 2000.
6. Федотов, В.И. Основы электроники / В.И. Федотов. М., 1990.
7. Василенко, B.C.Электроника и микроэлектроника / B.C. Василен-ко, М.С.Хандогин. Мн., 2003.
8. Ворсин, Н.Н. Основы радиоэлектроники / Н.Н. Ворсин, Н.М. Ляшко. Мн., 1992.
9. Гольцев, В.Р. Электронные усилители /В.Р. Гольцев [и др.]. М.,1990.
10. Мокеев, O.K. Полупроводниковые приборы и микросхемы / O.K. Мокеев. М., 1987.
11. Нефедов, А.В. Интегральные микросхемы и их зарубежные ана-логи: справочник: в 12 т. / А.В. Нефедов. М., 2002.
12. Петухов, В.М. Транзисторы и их зарубежные аналоги: справоч-ник: в 4 т. / В.М. Петухов. М., 2000.
