Контактные явления на границе раздела твердая фаза-жидкость Курсовая работа (проект)
БГУИР (Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники)
Курсовая работа (проект)
на тему: «Контактные явления на границе раздела твердая фаза-жидкость»
по дисциплине: «Физика конденсированного состояния»
2017
Выполнено экспертами Зачётки c ❤️ к студентам
60.00 BYN
Контактные явления на границе раздела твердая фаза-жидкость
Тип работы: Курсовая работа (проект)
Дисциплина: Физика конденсированного состояния
Работа защищена на оценку "9" без доработок.
Уникальность свыше 40%.
Работа оформлена в соответствии с методическими указаниями учебного заведения.
Количество страниц - 31.
Поделиться
РЕФЕРАТ
ВВЕДЕНИЕ
1 Контактные явления в твердых телах
1.1 p – n переход
1.2 Контакты p+-p и n+-n
1.3 p – полупроводник – металл и n – полупроводник – металл (контакты Шоттки)
1.4 Гетероконтакты выполненные из полупроводников различного типа
2 Контактные явления в жидких средах и расплавах
2.1 Двойной электрический слой
2.2 Механизмы образования двойного электрического слоя и его строение
2.3 Электрокинетический потенциал
3 Жидкокристалические фазы, образованные молекулами жидких кристаллов
3.1 Нематическая фаза
3.2 Смектическая фаза (-А, -С, -В)
3.3 дискотические (дискотики D)
3.4 Холестерические (холестерики Chol)
3.5 Лиотропные и полимерные жидкие кристаллы
4 Область применения жидких кристаллов
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Список литературы
ВВЕДЕНИЕ
Развитие цивилизации неразрывно связано с совершенствованием технологий получения и использования материалов. На этом пути было несколько качественных скачков: бронза, сталь, полимеры, композиты... Сегодня наступил следующий этап в области материаловедения, обусловленный накоплением знаний об определяющем влиянии наноструктуры на свойства материалов.
Перед материаловедением наносистем стоит целый комплекс научно-технических проблем, решение которых должно быть направлено не только на изучение масштабного фактора (уменьшение величины частиц, элементов или структур), но и на исследование принципиально новых явлений, присущих наномасштабу.
Развитие технологий, связанных с исследованием, созданием и использованием наноматериалов, в ближайшие годы приведет к кардинальным изменениям во многих сферах человеческой деятельности – в электронике, информатике, материаловедении, энергетике, машиностроении, биологии, медицине, сельском хозяйстве, экологии.
В связи с этим изучение контактов различных сред способных использоваться в электронной промышлености представляет большой интерес.
1 Контактные явления в твердых телах
1.1 p – n переход
Рассмотрим неоднородный полупроводник, одна часть которого имеет электронную электропроводность, а другая – дырочную. При этом речь идет не о простом контакте двух различных полупроводников, а о едином монокристалле, у которого одна область легирована акцепторной примесью, а другая – донорной.
Между электронной и дырочной областями рассматриваемой полупроводниковой структуры всегда существует тонкий переходный слой, обладающий особыми свойствами. Этот слой называется электронно-дырочным или p-n-переходом.
Электронно-дырочный переход является основным структурным элементом большинства полупроводниковых приборов, его свойствами определяется принцип действия и функциональные возможности этих приборов.
Примем, что в рассматриваемой p-n-структуре концентрация дырок в дырочной области выше, чем в электронной(pp>pn), а концентрация электронов в электронной области выше, чем в дырочной(nn>np), на границе электронной и дырочной областей существует градиент концентрации носителей заряда, вызывающий диффузионный ток: дырок из p-области в n-область и электронов из n-области в p-область. Диффузионный перенос заряженных частиц сопровождается нарушением электрической нейтральности полупроводника в непосредственной близости от границы областей: в p-области вследствие ухода дырок возникает не скомпенсированный отрицательный заряд, а в n-области вследствие ухода электронов – положительный заряд. В результате дырочная область приобретает отрицательный потенциал относительно электронной области и в переходном слое создается электрическое поле, вызывающее дрейфовый ток.
Но при отсутствии внешнего поля результирующий ток в полупроводнике должен быть равен нулю, это условие динамического равновесия процессов в переходе. Следовательно, диффузионный ток в переходе, вызываемый градиентом концентрации носителей заряда, должен уравновешиваться встречным дрейфующим током, обусловленным напряженностью собственного электрического поля E в переходе:
2 Контактные явления в жидких средах и расплавах
2.1 Двойной электрический слой
Причина электрокинетических явлений в том, что на поверхности есть двойной электрический слой, имеющий диффузное строение и это приводит к тому, что фаза и среда заряжены противоположно. Т.к. частицы стремятся уменьшить поверхностную энергию, то все они стремятся адсорбироваться на поверхности.
На поверхности твердого тела при его контакте с жидкостью самопроизвольно возникает двойной электрический слой (ДЭС) - тонкий поверхностный слой из пространственно разделенных электрических зарядов противоположного знака. Возникновение заряда на границе двух фаз относится к одному из видов поверхностных явлений.
Для изобарно-изотермического процесса в отсутствие физико-химических взаимодействий (dT=0, dp=0, dni=0):
Заряд поверхности, который возникает самопроизвольно, вызван стремлением к уменьшению поверхностного натяжения.
2.2 Механизмы образования двойного электрического слоя и его строение
Существуют следующие механизмы образования двойного электрического слоя:
1) Ионизация поверхности. Металл теряет электроны и заряжается положительно.
2) Избирательная адсорбция ионов. Поверхность адсорбирует ион более близкий по природе.
3 Жидкокристалические фазы, образованные молекулами жидких кристаллов
Необычное сочетание слов «жидкие кристаллы» многим уже знакомо, хотя далеко не все представляют себе, что же кроется за этим странным и, казалось бы, противоречивым понятием. Несмотря на то, что со дня открытия жидких кристаллов прошло уже более ста лет, ни в одном школьном учебни- ке физике и химии нет даже упоминания об этих удивительных веществах, столь удачно сочетающих свойства анизотропии кристаллов и текучести жидкости, а слово «жидкокристаллический» воспринимается как нечто непо- нятное, подобное горяче-холодному телу либо северо-южному направлению. И в то же время жидкокристаллические (ЖК) индикаторы являются неотъем- лимой частью электронных часов, портативных компьютеров, плоских экра- нов миниатюрных телевизоров, пейджеров, цифровых измерительных при- боров и многих других электронных приборов и устройств. Мировое производство ЖК индикаторов исчисляется миллиардами и, по прогнозам, будет увеличиваться и дальше. Уже сейчас без преувеличения можно сказать, что прогресс целого ряда отраслей науки и техники немыслим без развития исследований в области жидких кристаллов. Не меньший интерес представляют жидкие кристаллы и для биологов, изучающих процессы жизнедеятельности. Функционирование клеточных мембран и генетического вещества, передача нервных импульсов, работа мышц, формирование атеросклеротических бляшек – далеко не полный перечень процессов, протекающих с участием ЖК веществ, для которых характерна склонность к самоорганизации, сочетающейся с высокой молекулярной подвижностью.
Подобно обычной жидкости, жидкий кристалл обладает текучестью и принимает форму сосуда, в который он помещен. Этим он отличается от известных всем кристаллов. Однако, несмотря на это свойство, объединяющее его с жидкостью, он обладает свойством, характерным для кристаллов. Это - упорядочение в пространстве молекул, образующих кристалл. Правда, это упорядочение не такое полное, как в обычных кристаллах, но оно существенно влияет на свойства жидких кристаллов, чем и отличает их от обычных жидкостей. Неполное пространственное упорядочение молекул, образующих жидкий кристалл, проявляется в том, что в жидких кристаллах нет полного порядка в пространственном расположении центров тяжести молекул, хотя частичный порядок может быть. Это означает, что у них нет жесткой кристаллической решетки. Поэтому жидкие кристаллы, подобно обычным жидкостям, обладают свойством текучести. Обязательным свойством
4 Область применения жидких кристаллов
Расположение молекул в жидких кристаллах изменяется под действием таких факторов, как температура, давление, электрические и магнитные поля; изменения же расположения молекул приводят к изменению оптических свойств, таких, как цвет, прозрачность и способность к вращению плоскости поляризации проходящего света. (У холестерически-нематических жидких кристаллов эта способность очень велика.) На всем этом основаны многочисленные применения жидких кристаллов.
Зависимость цвета от температуры используется для медицинской диагностики. Нанося на тело пациента некоторые жидкокристаллические материалы, врач может легко выявлять затронутые болезнью ткани по изменению цвета в тех местах, где эти ткани выделяют повышенные количества тепла. Таким образом, жидкокристаллический индикатор на коже больного быстро диагностирует скрытое воспаление и даже опухоль.
С помощью жидких кристаллов обнаруживают пары вредных химических соединений и опасные для здоровья человека гамма- и ультрафиолетовое излучения. На основе жидких кристаллов созданы измерители давления, детекторы ультразвука.
Одним из этапов производства микросхем является фотолитография, которая состоит в нанесении на поверхность полупроводникового материала специальных масок, а затем в вытравливании с помощью фотографической техники так называемых литографических окон. Эти окна в результате дальнейшего процесса производства преобразуются в элементы и соединения микроэлектронной схемы. От того, насколько малы размеры соответствующих окон, зависит число элементов схемы, которые могут быть размещены на единице площади полупроводника, а от точности и качества вытравливания окон зависит качество микросхемы. Выше уже говорилось о контроле качества готовых микросхем с помощью холестерических жидких кристаллов, которые визуализируют поле температур на работающей схеме и позволяют выделить участки схемы с аномальным тепло-выделением. Полезным оказалось применение жидких кристаллов (теперь уже нематических) на стадии контроля качества литографических работ. Для этого на полупроводниковую пластину с протравленными литографическими окнами наносится ориентированный слой нематика, а затем к ней прикладывается электрическое напряжение. В результате в поляризованном свете картина вытравленных окон отчетливо визуализируется. Более того, этот метод позволяет выявить
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Наиболее важные для техники полупроводниковые приборы - диоды, транзисторы, тиристоры основаны на использовании замечательных материалов с электронной или дырочной проводимостью.
Широкое применение полупроводников началось сравнительно недавно, а сейчас они получили очень широкое применение. Они преобразуют световую и тепловую энергию в электрическую и, наоборот, с помощью электричества создают тепло и холод. Полупроводниковые приборы можно встретить в обычном радиоприемнике и в квантовом генераторе - лазере, в крошечной атомной батарее и в микропроцессорах.
Жидкие кристаллы и контактные структуры для электроники находят большое применение в современной цивилизации. В настоящее время из-вестны около 10 тысяч жидкокристаллических веществ и сотни гетеропере-ходов. Синтез таких структур довольно сложный, поэтому велико содержание дефектных включений. Органические молекулы – громоздки и требуют больших затрат энергии внешних воздействий на их переориентацию. В органических молекулах кроме участков (палочек), которые и образуют жидкокристаллическую фазу, существуют всякие «хвосты». «Хвосты» снижают подвижность участков мезогенных групп и увеличивают интервал температуры, в которой и наблюдается жидкокристаллическая фаза. Поэтому параллельно с получением и применением органических жидких кристаллов происходит интенсивное исследование неорганических жидких кристаллов. В неорганических жидких кристаллах отсутствуют недостатки жидкокристаллических органических веществ.
1. Пикин С. А., Блинов Л. М., Жидкие кристаллы. М.: Наука. 1982.
2. Блинов Л. М., Жидкие кристаллы: Структура и свойства. М.:2013.
3. Пикин С. А., Структурные превращения в жидких кристаллах, М.. 1981.
4. Платэ Н. А., Шибаев В. П., Гребнеобразные полимеры и жидкие кристаллы, М., 1980.
5. В.А. Батушев «Электронные приборы», М.: Высшая школа, 1990.
6. И.В. Савельев «Курс общей физики», М.: Наука, 1993
7. О.Ф. Кабардин «Физика. Справочные материалы», М.: Просве-щение, 1991
Работа защищена на оценку "9" без доработок.
Уникальность свыше 40%.
Работа оформлена в соответствии с методическими указаниями учебного заведения.
Количество страниц - 31.
Не нашли нужную
готовую работу?
готовую работу?
Оставьте заявку, мы выполним индивидуальный заказ на лучших условиях
Заказ готовой работы
Заполните форму, и мы вышлем вам на e-mail инструкцию для оплаты