Задание 1. Приведите условное изображение р-n перехода с подключением к нему источников питания (рисунок 1). Нанесите на изображенном р-n переходе заданные носители заряда с указанием направления их перемещения (таблица 1).
Задание 2. Выберите полупроводниковый диод согласно своему варианту задания (таблица 2). Охарактеризуйте выбранный прибор и укажите физический смысл заданного в графе 4 таблицы 2 параметра.
Задание 3. Выберите биполярный транзистор согласно условию своего варианта. Выполните необходимые вычисления, построения и сделайте выводы. Укажите физический смысл заданного в таблице 3 параметра.
Задание 4. Из таблицы 4 выберите ИМС согласно номеру своего варианта и определите параметры аналоговых и цифровых ИМС с использованием справочной литературы.
Задание 5. Рассчитать каскад усилителя переменного напряжения с ОЭ в соответствии с типом транзистора, выбранном в третьем задании, который в частотном диапазоне от 20Гц до 10 кГц должен обеспечить на нагрузке Rн = 300 Ом амплитуду выходного напряжения Um вых = 4В.
Задание 6. На основе операционного усилителя (ОУ) К140УД23 рассчитать усилитель, обеспечивающий коэффициент усиления Кu, при работе на нагрузку Rн. Усилитель должен иметь входное сопротивление Rвх не менее 15кОм при амплитуде входного сигнала Uвх. Исходные данные в соответствии с номером своего варианта, приведенным в таблице 5.
Задание 7. Задана схема LC – автогенератора на операционном усилителе, работающего в стационарном режиме с частотой выходных колебаний f0. Определить параметры схемы, если добротность LC контура Q, индуктивность L, коэффициент усиления усилителя Ku, сопротивление R1, приведены для соответствующего номера варианта в таблице 6.
Задание 8. Тип выпрямителя, напряжение и частота сети переменного тока, мощность и номинальное напряжение нагрузки, тип фильтра и допустимый коэффициент пульсации напряжения на нагрузке приведены в таблице 7.
Список используемых источников
1. Бочаров, Л.Н. Расчет электронных устройств на транзисторах / Л.Н. Бочаров, С.К. Жебряков, И.Ф. Колесников. – М.: Энергия, 1987. – 208 с.
2. Василенко, B.C. Электроника и микроэлектроника / B.C. Василенко, М.С. Хандогин. – Мн., 2003.
3. Ворсин, Н.Н. Основы радиоэлектроники / Н.Н. Ворсин, Н.М. Ляшко. – Мн., 1992.
4. Галкин, В.И. Промышленная электроника и микроэлектроника / В.И. Галкин, Е.В.Пелевин. – М.: Высш. шк. – 2006.
5. Галкин, В.И. Промышленная электроника/ В.И. Галкин. – Мн.: Выш.шк. – 1989.
6. Галкин, В.И. Полупроводниковые приборы/ В.И. Галкин, А.Л. Булычев, В.А. Прохоренко. – Мн.: Беларусь – 1987.
7. Москатов, Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам / Е.А. Москатов. – М.: "Радио", 2005. – 208 с.
8. Москатов, Е.А. Электронная техника / Е.А. Москатов. – Т.: Радио, 2004. - 121 с.
9. Нефедов, А.В. Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: справочник: в 12 т. / А.В. Нефедов. – М., 2002.
10. Петухов, В.М. Транзисторы и их зарубежные аналоги: справочник: в 4 т. / В.М. Петухов. – М., 2000.
