Основы радиоэлектроники

Задание 1. Пользуясь справочными данными, приведите семейство входных и выходных характеристик БТ с ОЭ. В качестве независимых переменных используйте входное и выходное напряжение. Тип транзистора в соответствии с шифром КТ351А. Поясните поведение входных и выходных характеристик транзистора. По справочнику установите максимально допустимы параметры БТ: постоянный ток коллектора IKmax; напряжение коллектор-эмиттер UКЭmax; мощность рассеиваемую коллектором транзистора PKmax. На семейство выходных характеристик нанесите границы области допустимых режимов работы. Задайтесь положением рабочей точки и, пользуясь характеристиками, рассчитайте для нее значения h-параметров БТ. На основании полученных числовых значений параметров рассчитайте параметры Т-образной эквивалентной схемы транзистора и изобразите ее.

Задание 2. Рассчитайте модуль h21Э и фазу φh21э коэффициента передачи по току БТ в схеме с ОЭ на частоте f. В качестве исходных данных используйте значения предельной частоты коэффициента передачи по току в схеме с ОБ fh21б¬, статический коэффициент передачи по току в схеме с ОБ α и частоты f. fh21б=16 МГц, α=0,965, f=70 кГц.

Задание 3. Нарисовать схему одиночного усилительно каскада на БТ с ОЭ и эмиттерной стабилизацией и выполнить расчет элементов схемы, задающих рабочую точку. Исходные данные для расчета:

Тип транзистора КТ355А, UК0=6 (В), IК0=10 (мА). Выполнить графоаналитический расчет усилительного каскада в режиме класса «А». При расчетах использовать выходные статические характеристики транзистора.

Задание 4. Нарисовать схему электронного ключа на БТ с ОЭ и построить его передаточную характеристику UВЫХ=f(UВХ). Если сопротивление нагрузки RН=5RК. Тип транзистора, напряжение питания, сопротивление резистора в цепи коллектора использовать в соответствии с исходными данными и решением задачи №3. Сопротивление резистора в цепи базы принять равным входному сопротивлению БТ RБ=h11Э рассчитанному для рабочей точки задачи №3.

Задание 5. Изобразить принципиальные схемы инвертирующего и неинвертирующего усилителя на основе ОУ и рассчитать для каждого усилителя коэффициент усиления КОС, входное Rвх.ОС и выходное Rвых.ОС сопротивление. Исходные данные: R=20 кОм, RОС=250 кОм, К=20000, RВХ=300 кОм, RВЫХ=0,8 кОм.

Список использованных источников

1. Электронные приборы / Под ред. Г.Г. Шишкина. – М.: МАИ, 1996.

2. Батушев В.А. Электронные приборы. – М.: Высш. шк., 1980.

3. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника. – М.: Высш. шк., 1991.

4. Булычев А.Л., Лямин П.М., Тулинов Е.С. Электронные приборы. – Мн.: Выш. шк., 1999.

5. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника / Под ред. Н.Д. Федорова. – М.: Радио и связь, 1998.

6. Ткаченко Ф.А. Техническая электроника. – Мн.: Дизайн ПРО, 2000.

7. Валенко В.С., Хандогин М.С. Электроника и микросхемотехника. – Мн.: Беларусь, 2000.

8. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х кн. – М.: Мир, 1984.

9. Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем. – М.: Мир, 1989.

10. Разевиг В.Д. Система сквозного проектирования электронных устройств DesignLab 8.0. – М.: Солон-Р, 2000.

11. Разевиг В.Д. Система проектирования цифровых устройств OrCAD. – М.: Солон–Р, 2000.

12. Кудрявцев Е.М. MathCAD 2000. – М.: ДМК Пресс, 2001.

13. Хрулев А.К., Черепанов В.П. Диоды и их зарубежные аналоги. В 3 т. – М.: ИП РадиоСофт, 1998.

14. Галкин В.И., Булычев А.Л., Лямин П.М. Полупроводниковые приборы: Транзисторы широкого применения: Справочник. – Мн.: Беларусь, 1995.