Основы электроники и микроэлектроники Вопросы

26. Объясните особенности импульсного режима работы транзисторов. Приведите схему включения транзистора в ключевой (импульсный) режим работы. Рассчитайте основные параметры транзистора и схемы. 
27. Приведите параметры и обоснуйте эквивалентные схемы транзисторов. Как определяются h-параметры биполярных транзисторов с использованием входных и выходных характеристик. 
28. Приведите классификацию и систему обозначения тиристоров. Поясните технологические особенности их изготовления. Дайте определение динистора и приведите его условное графическое обозначение. Обоснуйте ВАХ динистора. Приведите примеры практического применения динисторов. 
29. Дайте определения тринистора. Приведите условное графическое обозначение тринисторов. Обоснуйте ВАХ тринисторов. Зарисуйте схемы включения тринисторов с управление по аноду и катоду, и поясните их работу. Приведите примеры их практического применения. 
30. Дайте определение симистора. Зарисуйте его условное графическое обозначение и ВАХ. Зарисуйте схемы включения симисторов и поясните их работу. Приведите примеры их практического применения. 
31. Объясните причины возникновения собственных шумов в полупроводниковых приборах. Определите влияние режимов работы, статических и динамических параметров, материала изготовления, температурных и частотных свойств электронных приборов на величину их собственных шумов. 
32. Объясните необходимость производства новой электронной базы – интегральных микросхем (ИМС). Приведите классификацию и систему обозначений ИМС. Сформируйте требования к их надежности