вопросы -
Скачать готовую работу по теме

Основы электроники и микроэлектроники

Купить эту готовую работу со скидкой за 8,00 BYN
Основы электроники и микроэлектроники
Стоимость Стоимость
от

8,00

10,00

BYN

Содержание

26. Объясните особенности импульсного режима работы транзисторов. Приведите схему включения транзистора в ключевой (импульсный) режим работы. Рассчитайте основные параметры транзистора и схемы. 
27. Приведите параметры и обоснуйте эквивалентные схемы транзисторов. Как определяются h-параметры биполярных транзисторов с использованием входных и выходных характеристик. 
28. Приведите классификацию и систему обозначения тиристоров. Поясните технологические особенности их изготовления. Дайте определение динистора и приведите его условное графическое обозначение. Обоснуйте ВАХ динистора. Приведите примеры практического применения динисторов. 
29. Дайте определения тринистора. Приведите условное графическое обозначение тринисторов. Обоснуйте ВАХ тринисторов. Зарисуйте схемы включения тринисторов с управление по аноду и катоду, и поясните их работу. Приведите примеры их практического применения. 
30. Дайте определение симистора. Зарисуйте его условное графическое обозначение и ВАХ. Зарисуйте схемы включения симисторов и поясните их работу. Приведите примеры их практического применения. 
31. Объясните причины возникновения собственных шумов в полупроводниковых приборах. Определите влияние режимов работы, статических и динамических параметров, материала изготовления, температурных и частотных свойств электронных приборов на величину их собственных шумов. 
32. Объясните необходимость производства новой электронной базы – интегральных микросхем (ИМС). Приведите классификацию и систему обозначений ИМС. Сформируйте требования к их надежности

Выдержка из работы

Список литературы

1. Галкин, В.И.  Промышленная электроника / В.И. Галкин. Мн.,1989.
2. Гусев, В.Г. Электроника / В.Г. Гусев, Ю.М. Гусев. М., 1991.
3. Жеребцов, И.П. Основы электроники / И.П.  Жеребцов, Л., 1989.
4. Лачин, В.И. Электроника / В.И. Лачин, Н.С. Савелов. Ростов-на-Дону, 2005.
5. Нефедов, В. И. Основы радиоэлектроники / В.И. Нефедов, М., 2000.
6. Федотов, В.И. Основы электроники / В.И. Федотов. М., 1990.
7. Василенко, B.C.Электроника и микроэлектроника / B.C. Василенко, М.С.Хандогин. Мн., 2003.
8. Ворсин, Н.Н. Основы радиоэлектроники / Н.Н. Ворсин, Н.М. Ляшко. Мн., 1992.

Купить эту работу
26. Объясните особенности импульсного режима работы транзисторов. Приведите схему включения транзистора в ключевой (импульсный) режим работы. Рассчитайте основные параметры транзистора и схемы. 
27. Приведите параметры и обоснуйте эквивалентные схемы транзисторов. Как определяются h-параметры биполярных транзисторов с использованием входных и выходных характеристик. 
28. Приведите классификацию и систему обозначения тиристоров. Поясните технологические особенности их изготовления. Дайте определение динистора и приведите его условное графическое обозначение. Обоснуйте ВАХ динистора. Приведите примеры практического применения динисторов. 
29. Дайте определения тринистора. Приведите условное графическое обозначение тринисторов. Обоснуйте ВАХ тринисторов. Зарисуйте схемы включения тринисторов с управление по аноду и катоду, и поясните их работу. Приведите примеры их практического применения. 
30. Дайте определение симистора. Зарисуйте его условное графическое обозначение и ВАХ. Зарисуйте схемы включения симисторов и поясните их работу. Приведите примеры их практического применения. 
31. Объясните причины возникновения собственных шумов в полупроводниковых приборах. Определите влияние режимов работы, статических и динамических параметров, материала изготовления, температурных и частотных свойств электронных приборов на величину их собственных шумов. 
32. Объясните необходимость производства новой электронной базы – интегральных микросхем (ИМС). Приведите классификацию и систему обозначений ИМС. Сформируйте требования к их надежности

Стоимость Стоимость

8,00

10,00

BYN

Информация о работе

Вуз: БГПК (Брестский государственный политехнический колледж)
Дисциплина: Основы электроники и микроэлектроники
Тип работы: Вопросы
Работа защищена на оценку "9" без доработок.
Уникальность свыше 40%.
Работа оформлена в соответствии с методическими указаниями учебного заведения.
Количество страниц - 11.

Процесс покупки готовой работы

01
1. Заказ готовой

Оставьте заявку по кнопке "купить ". Обязательно укажите правильный e-mail, на него вышлют инструкции по оплате и ваши материалы.

02
2. Оплата

На вашу электронную почту придет подробная инструкция по оплате через ЕРИП. 

03
3. Получение

Сразу после оплаты, менеджер вышлет все материалы, которые относятся к заказу, на электронную почту.